Tüm belleklerin yerini alacak! Yapay zekada uygulanabilir

Yeni geliştirilen bir bellek hücresi, yüksek hızlı performansı düşük güç tüketimi ile çalışacak. Yüksek performanslı bilgi işlem, yapay zeka, otomotiv çipleri ve daha birçok alanda uygulama potansiyeline sahip olabilecek.

Geleneksel sabit disk (HDD) teknolojisinin yerini alan ve depolama çözümlerinde önemli bir dönüşüm sağlayan SSD teknolojisi, şimdi depolama ve bellek alanında yeni bir devrimin kapısını aralayabilir. Endüstriyel Teknoloji Araştırma Enstitüsü (ITRI) ve Tayvan Yarı İletken Üretim Şirketi (TSMC) tarafından geliştirilen yeni bir SOT-MRAM (spin-orbit torque magnetic random-access memory) çipi, bu potansiyelin bir göstergesi olarak ön plana çıkıyor.

STT-MRAM'in (spin-transfer-tork MRAM) bir alternatifi olarak tanıtılan SOT-MRAM, bellek mimarilerinde bilgi işleme ve yüksek yoğunluklu son seviye gömülü önbellek uygulamaları için bir alternatif olarak işlev görecek. Ayrıca, selefi tarafından tüketilen elektriğin sadece %1'ine ihtiyaç duyarak enerji verimliliği sağlayacak. Üstelik, yeni RAM'lerin DRAM'den daha hızlı olduğu da belirtiliyor.

"YÜKSEK HIZDA ÇALIŞARAK 10 NANOSANİYELİK YÜKSEK HIZLARA ULAŞABİLİYOR"

ITRI ve TSMC, 2023 IEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı'nda (IEDM 2023) bu yeni mikroelektronik bileşen hakkında bir araştırma makalesi yayınladı. Dr. Shih-Chieh Chang, "Geçen yıl sunulan ortak makalelerin ardından bir SOT-MRAM birim hücresini daha geliştirdik. Bu prototip hücre, düşük güç tüketimiyle yüksek hızda çalışarak 10 nanosaniyelik yüksek hızlara ulaşabiliyor. Bu teknolojinin genel bilgi işlem performansını artırabileceğini düşünüyoruz. İleride ise yüksek performanslı bilgi işlem, yapay zeka, otomotiv çipleri ve daha birçok alanda uygulama potansiyeline sahip olabilir" dedi.

Ancak, bu teknolojinin hemen pazara sürülmeye hazır olmadığı belirtiliyor. SOT-MRAM, SRAM'den daha düşük bekleme gücü sunarken, yazma işlemleri için yüksek akımlara ihtiyaç duyuyor, bu da dinamik güç tüketimini artırıyor. Ayrıca, SOT-MRAM hücreleri hala SRAM hücrelerinden daha büyük ve üretilmeleri daha zor. Sonuç olarak, SOT-MRAM teknolojisi umut verici olsa da, yakın zamanda SRAM'in yerini alması pek olası görünmüyor. Ancak, bellek içi bilgi işlem uygulamaları için uygun maliyetli olarak üretildiğinde, SOT-MRAM yakın gelecekte popüler bir çözüm olabilir.